nanoPVD S10A是Moorfield Nanotechnology倾力打造的一款高度集成化智能化的台式磁控溅射系统。该系统虽然体积小巧，但是功能出色、配置齐全。该型号的推出是为了解决传统台式设备功能简单不能满足高端学术研究的问题。剑桥大学、诺森比亚大学、帝国理工学院等用户都对这款台式设备给予了很高的评价。
nanoPVD S10A多可安装3个水冷式溅射源，可实现高功率持续运行，靶材尺寸与大型系统一样是行业通用尺寸。系统可以实现两源共溅射方案，可以实现反应溅射方案，多可同时控制3路气体。系统具有分子泵，可快速达到5*10-7mbar高真空。腔体取放样品非常方便，样品台大尺寸4英寸，系统有智能化的触屏控制系统，采用完备的安全设计方案。
nanoPVD S10A可用于制备高质量的金属薄膜、半导体薄膜、介电、绝缘材料薄膜以及复合薄膜、多层异质结等。
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主要特点：
◎ 水冷式溅射源，通用2英寸设计
◎ MFC流量计高精度控制过程气体
◎ DC/RF溅射电源可选
◎ 全自动触摸屏控制方案
◎ 可设定、储存多个溅射程序
◎ 4英寸基片
◎ 本底真空<5*10-7mbar
◎ 系统维护简单
◎ 完备的安全性设计
◎ 兼容超净间
◎ 性能稳定
选件：
◎ 机械泵类型可选
◎ 样品腔快速充气
◎ 自动高精度压力控制
◎ 添加过程气体
◎ 500℃衬底加热
◎ 衬底旋转，Z向调节
◎ 三源溅射系统
◎ 共溅射方案
◎ DC/RF溅射电源可选
◎ 溅射电源自动切换系统
◎ 晶振膜厚测量系统
典型配置方案：
金属沉积：2个溅射靶，配DC电源与电源切换系统，衬底Z向调节与挡板系统，晶振膜厚测量系统。
绝缘材料沉积：2个溅射靶，配RF电源与电源切换系统，衬底加热与氧气通入气路，衬底Z向调节与挡板系统，晶振膜厚测量系统。
反应/共溅射:三个溅射靶，配备DC/RF电源与自由切换系统，三路过程气体（Ar、O2、N2）用于沉积氧化物或氮化物。
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